近日，日本京瓷（Kyocera）开发了一种MicroLED制造新技术，通过硅衬底取代传统昂贵的蓝宝石衬底，将Micro LED成本降至一半以下。
据悉，硅衬底GaN技术是目前Micro LED制造重要路线之一。相较传统的蓝宝石衬底GaN技术，硅衬底GaN技术在制程良率、晶圆成本、IC工艺兼容度等方面具有显著优势。
而京瓷研发的新技术，具体而言是通过硅衬底上形成氮化镓层，并留出狭长的缝隙进行遮蔽，然后在氮化镓层上再次成膜，氮化镓层从缝隙中延伸到掩膜材料之上，将其剥离之后即可完成制作。京瓷已对该技术进行相关专利申请并争取在2025财年实现应用。
值得注意的是，近年来，京瓷陆续与LED厂商合作开发Micro LED产品与技术。2019年，京瓷集团与Micro LED技术厂商glō合作开发了一款1.8英寸Micro LED显示器，解析度可达200 PPI，亮度高达1百万nit，产品可应用于智能穿戴领域。
2020年，京瓷与欧司朗合作开发一项Micro LED显示驱动技术，能避免使用较低的像素电流通过Micro LED芯片，从而减少低灰阶水平下的亮度偏差和色彩偏移问题。该技术可应用于AR用Micro LED显示器中，为AR眼镜带来高亮度与出色的色彩显示。
